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IGBT模块驱动及保护技术

摘   要: 对 IGBT栅 极 驱 动 特 性 、 栅 极 串 联 电 阻 及 其 驱 动 电 路 进 行 了 探 讨 。 提 出 了 慢 降 栅 压 过 流 保 护 和 过 电 压 吸 收 的 有 效 方 法 。
    关键词: 开 关 电 源 ; 绝 缘 栅 双 极 晶 体 管 ; 驱 动 保 护

 

1 引 言
    IGBT是 MOSFET与 双 极 晶 体 管 的 复 合 器 件 。 它 既 有 MOSFET易 驱 动 的 特 点 , 又 具 有 功 率 晶 体 管 电 压 、 电 流 容 量 大 等 优 点 。 其 频 率 特 性 介 于 MOSFET与 功 率 晶 体 管 之 间 , 可 正 常 工 作 于 几 十 kHz频 率 范 围 内 , 故 在 较 高 频 率 的 大 、 中 功 率 应 用 中 占 据 了 主 导 地 位 。
    IGBT是 电 压 控 制 型 器 件 , 在 它 的 栅 极  发 射 极 间 施 加 十 几 V的 直 流 电 压 , 只 有 μ A级 的 漏 电 流 流 过 , 基 本 上 不 消 耗 功 率 。 但 IGBT的 栅 极  发 射 极 间 存 在 着 较 大 的 寄 生 电 容 ( 几 千 至 上 万 pF) , 在 驱 动 脉 冲 电 压 的 上 升 及 下 降 沿 需 要 提 供 数 A的 充 放 电 电 流 , 才 能 满 足 开 通 和 关 断 的 动 态 要 求 , 这 使 得 它 的 驱 动 电 路 也 必 须 输 出 一 定 的 峰 值 电 流 。
    IGBT作 为 一 种 大 功 率 的 复 合 器 件 , 存 在 着 过 流 时 可 能 发 生 锁 定 现 象 而 造 成 损 坏 的 问 题 。 在 过 流 时 如 采 用 一 般 的 速 度 封 锁 栅 极 电 压 , 过 高 的 电 流 变 化 率 会 引 起 过 电 压 , 为 此 需 要 采 用 软 关 断 技 术 , 因 而 掌 握 好 IGBT的 驱 动 和 保 护 特 性 是 十 分 必 要 的 。
2 栅 极 特 性
    IGBT的 栅 极 通 过 一 层 氧 化 膜 与 发 射 极 实 现 电 隔 离 。 由 于 此 氧 化 膜 很 薄 , 其 击 穿 电 压 一 般 只 能 达 到 20~ 30 V, 因 此 栅 极 击 穿 是 IGBT失 效 的 常 见 原 因 之 一 。 在 应 用 中 有 时 虽 然 保 证 了 栅 极 驱 动 电 压 没 有 超 过 栅 极 最 大 额 定 电 压 , 但 栅 极 连 线 的 寄 生 电 感 和 栅 极 - 集 电 极 间 的 电 容 耦 合 , 也 会 产 生 使 氧 化 层 损 坏 的 振 荡 电 压 。 为 此 。 通 常 采 用 绞 线 来 传 送 驱 动 信 号 , 以 减 小 寄 生 电 感 。 在 栅 极 连 线 中 串 联 小 电 阻 也 可 以 抑 制 振 荡 电 压 。
    由 于 IGBT的 栅 极 - 发 射 极 和 栅 极 - 集 电 极 间 存 在 着 分 布 电 容 Cge和 Cgc, 以 及 发 射 极 驱 动 电 路 中 存 在 有 分 布 电 感 Le, 这 些 分 布 参 数 的 影 响 , 使 得 IGBT的 实 际 驱 动 波 形 与 理 想 驱 动 波 形 不 完 全 相 同 , 并 产 生 了 不 利 于 IGBT开 通 和 关 断 的 因 素 。 这 可 以 用 带 续 流 二 极 管 的 电 感 负 载 电 路 ( 见 图 1) 得 到 验 证 。

    在 t0时 刻 , 栅 极 驱 动 电 压 开 始 上 升 , 此 时 影 响 栅 极 电 压 uge上 升 斜 率 的 主 要 因 素 只 有 Rg和 Cge, 栅 极 电 压 上 升 较 快 。 在 t1时 刻 达 到 IGBT的 栅 极 门 槛 值 , 集 电 极 电 流 开 始 上 升 。 从 此 时 开 始 有 2个 原 因 导 致 uge波 形 偏 离 原 有 的 轨 迹 。
    首 先 , 发 射 极 电 路 中 的 分 布 电 感 Le上 的 感 应 电 压 随 着 集 电 极 电 流 ic的 增 加 而 加 大 , 从 而 削 弱 了 栅 极 驱 动 电 压 , 并 且 降 低 了 栅 极 - 发 射 极 间 的 uge的 上 升 率 , 减 缓 了 集 电 极 电 流 的 增 长 。
    其 次 , 另 一 个 影 响 栅 极 驱 动 电 路 电 压 的 因 素 是 栅 极 - 集 电 极 电 容 Cgc的 密 勒 效 应 。 t2时 刻 , 集 电 极 电 流 达 到 最 大 值 , 进 而 栅 极 - 集 电 极 间 电 容 Cgc开 始 放 电 , 在 驱 动 电 路 中 增 加 了 Cgc的 容 性 电 流 , 使 得 在 驱 动 电 路 内 阻 抗 上 的 压 降 增 加 , 也 削 弱 了 栅 极 驱 动 电 压 。 显 然 , 栅 极 驱 动 电 路 的 阻 抗 越 低 , 这 种 效 应 越 弱 , 此 效 应 一 直 维 持 到 t3时 刻 , uce降 到 零 为 止 。 它 的 影 响 同 样 减 缓 了 IGBT的 开 通 过 程 。 在 t3时 刻 后 , ic达 到 稳 态 值 , 影 响 栅 极 电 压 uge的 因 素 消 失 后 , uge以 较 快 的 上 升 率 达 到 最 大 值 。
    由 图 1波 形 可 看 出 , 由 于 Le和 Cgc的 存 在 , 在 IGBT的 实 际 运 行 中 uge的 上 升 速 率 减 缓 了 许 多 , 这 种 阻 碍 驱 动 电 压 上 升 的 效 应 , 表 现 为 对 集 电 极 电 流 上 升 及 开 通 过 程 的 阻 碍 。 为 了 减 缓 此 效 应 , 应 使 IGBT模 块 的 Le和 Cgc及 栅 极 驱 动 电 路 的 内 阻 尽 量 小 , 以 获 得 较 快 的 开 通 速 度 。
    IGBT关 断 时 的 波 形 如 图 2所 示 。 t0时 刻 栅 极 驱 动 电 压 开 始 下 降 , 在 t1时 刻 达 到 刚 能 维 持 集 电 极 正 常 工 作 电 流 的 水 平 , IGBT进 入 线 性 工 作 区 , uce开 始 上 升 , 此 时 , 栅 极 - 集 电 极 间 电 容 Cgc的 密 勒 效 应 支 配 着 uce的 上 升 , 因 Cgc耦 合 充 电 作 用 , uge在 t1- t2期 间 基 本 不 变 , 在 t2时 刻 uge和 ic开 始 以 栅 极 - 发 射 极 间 固 有 阻 抗 所 决 定 的 速 度 下 降 , 在 t3时 , uge及 ic均 降 为 零 , 关 断 结 束 。

    由 图 2可 看 出 , 由 于 电 容 Cgc的 存 在 , 使 得 IGBT的 关 断 过 程 也 延 长 了 许 多 。 为 了 减 小 此 影 响 , 一 方 面 应 选 择 Cgc较 小 的 IGBT器 件 ; 另 一 方 面 应 减 小 驱 动 电 路 的 内 阻 抗 , 使 流 入 Cgc的 充 电 电 流 增 加 , 加 快 了 uce的 上 升 速 度 。
    在 实 际 应 用 中 , IGBT的 uge幅 值 也 影 响 着 饱 和 导 通 压 降 : uge增 加 , 饱 和 导 通 电 压 将 减 小 。 由 于 饱 和 导 通 电 压 是 IGBT发 热 的 主 要 原 因 之 一 , 因 此 必 须 尽 量 减 小 。 通 常 uge为 15~ 18 V, 若 过 高 , 容 易 造 成 栅 极 击 穿 。 一 般 取 15 V。 IGBT关 断 时 给 其 栅 极 - 发 射 极 加 一 定 的 负 偏 压 有 利 于 提 高 IGBT的 抗 骚 扰 能 力 , 通 常 取 5~ 10 V。
3 栅 极 串 联 电 阻 对 栅 极 驱 动 波 形 的 影 响
    栅 极 驱 动 电 压 的 上 升 、 下 降 速 率 对 IGBT开 通 关 断 过 程 有 着 较 大 的 影 响 。 IGBT的 MOS沟 道 受 栅 极 电 压 的 直 接 控 制 , 而 MOSFET部 分 的 漏 极 电 流 控 制 着 双 极 部 分 的 栅 极 电 流 , 使 得 IGBT的 开 通 特 性 主 要 决 定 于 它 的 MOSFET部 分 , 所 以 IGBT的 开 通 受 栅 极 驱 动 波 形 的 影 响 较 大 。 IGBT的 关 断 特 性 主 要 取 决 于 内 部 少 子 的 复 合 速 率 , 少 子 的 复 合 受 MOSFET的 关 断 影 响 , 所 以 栅 极 驱 动 对 IGBT的 关 断 也 有 影 响 。
    在 高 频 应 用 时 , 驱 动 电 压 的 上 升 、 下 降 速 率 应 快 一 些 , 以 提 高 IGBT开 关 速 率 降 低 损 耗 。
    在 正 常 状 态 下 IGBT开 通 越 快 , 损 耗 越 小 。 但 在 开 通 过 程 中 如 有 续 流 二 极 管 的 反 向 恢 复 电 流 和 吸 收 电 容 的 放 电 电 流 , 则 开 通 越 快 , IGBT承 受 的 峰 值 电 流 越 大 , 越 容 易 导 致 IGBT损 害 。 此 时 应 降 低 栅 极 驱 动 电 压 的 上 升 速 率 , 即 增 加 栅 极 串 联 电 阻 的 阻 值 , 抑 制 该 电 流 的 峰 值 。 其 代 价 是 较 大 的 开 通 损 耗 。 利 用 此 技 术 , 开 通 过 程 的 电 流 峰 值 可 以 控 制 在 任 意 值 。
    由 以 上 分 析 可 知 , 栅 极 串 联 电 阻 和 驱 动 电 路 内 阻 抗 对 IGBT的 开 通 过 程 影 响 较 大 , 而 对 关 断 过 程 影 响 小 一 些 , 串 联 电 阻 小 有 利 于 加 快 关 断 速 率 , 减 小 关 断 损 耗 , 但 过 小 会 造 成 di/dt过 大 , 产 生 较 大 的 集 电 极 电 压 尖 峰 。 因 此 对 串 联 电 阻 要 根 据 具 体 设 计 要 求 进 行 全 面 综 合 的 考 虑 。
    栅 极 电 阻 对 驱 动 脉 冲 的 波 形 也 有 影 响 。 电 阻 值 过 小 时 会 造 成 脉 冲 振 荡 , 过 大 时 脉 冲 波 形 的 前 后 沿 会 发 生 延 迟 和 变 缓 。 IGBT的 栅 极 输 入 电 容 Cge随 着 其 额 定 电 流 容 量 的 增 加 而 增 大 。 为 了 保 持 相 同 的 驱 动 脉 冲 前 后 沿 速 率 , 对 于 电 流 容 量 大 的 IGBT器 件 , 应 提 供 较 大 的 前 后 沿 充 电 电 流 。 为 此 , 栅 极 串 联 电 阻 的 电 阻 值应 随 着 IGBT电 流 容 量 的 增 加 而 减 小 。
4 IGBT的 驱 动 电 路
    IGBT的 驱 动 电 路 必 须 具 备 2个 功 能 : 一 是 实 现 控 制 电 路 与 被 驱 动 IGBT栅 极 的 电 隔 离 ; 二 是 提 供 合 适 的 栅 极 驱 动 脉 冲 。 实 现 电 隔 离 可 采 用 脉 冲 变 压 器 、 微 分 变 压 器 及 光 电 耦 合 器 。
    图 3为 采 用 光 耦 合 器 等 分 立 元 器 件 构 成 的 IGBT驱 动 电 路 。 当 输 入 控 制 信 号 时 , 光 耦 VLC导 通 , 晶 体 管 V2截 止 , V3导 通 输 出 + 15 V驱 动 电 压 。 当 输 入 控 制 信 号 为 零 时 , VLC截 止 , V2、 V4导 通 , 输 出 - 10 V电 压 。 + 15 V和 - 10 V电 源 需 靠 近 驱 动 电 路 , 驱 动 电 路 输 出 端 及 电 源 地 端 至 IGBT栅 极 和 发 射 极 的 引 线 应 采 用 双 绞 线 , 长 度 最 好 不 超 过 0.5 m。

    图 4为 由 集 成 电 路 TLP250构 成 的 驱 动 器 。 TLP250内 置 光 耦 的 隔 离 电 压 可 达 2 500 V, 上 升 和 下 降 时 间 均 小 于 0.5 μ s, 输 出 电 流 达 0.5 A, 可 直 接 驱 动 50 A/1 200 V以 内 的 IGBT。 外 加 推 挽 放 大 晶 体 管 后 , 可 驱 动 电 流 容 量 更 大 的 IGBT。 TLP250构 成 的 驱 动 器 体 积 小 , 价 格 便 宜 , 是 不 带 过 流 保 护 的 IGBT驱 动 器 中 较 理 想 的 选 择 。

5 IGBT的 过 流 保 护
    IGBT的 过 流 保 护 电 路 可 分 为 2类 : 一 类 是 低 倍 数 的 ( 1.2~ 1.5倍 ) 的 过 载 保 护 ; 一 类 是 高 倍 数 ( 可 达 8~ 10倍 ) 的 短 路 保 护 。
    对 于 过 载 保 护 不 必 快 速 响 应 , 可 采 用 集 中 式 保 护 , 即 检 测 输 入 端 或 直 流 环 节 的 总 电 流 , 当 此 电 流 超 过 设 定 值 后 比 较 器 翻 转 , 封 锁 所 有 IGBT驱 动 器 的 输 入 脉 冲 , 使 输 出 电 流 降 为 零 。 这 种 过 载 电 流 保 护 , 一 旦 动 作 后 , 要 通 过 复 位 才 能 恢 复 正 常 工 作 。
    IGBT能 承 受 很 短 时 间 的 短 路 电 流 , 能 承 受 短 路 电 流 的 时 间 与 该 IGBT的 导 通 饱 和 压 降 有 关 , 随 着 饱 和 导 通 压 降 的 增 加 而 延 长 。 如 饱 和 压 降 小 于 2 V的 IGBT允 许 承 受 的 短 路 时 间 小 于 5 μ s, 而 饱 和 压 降 3 V的 IGBT允 许 承 受 的 短 路 时 间 可 达 15 μ s, 4~ 5 V时 可 达 30 μ s以 上 。 存 在 以 上 关 系 是 由 于 随 着 饱 和 导 通 压 降 的 降 低 , IGBT的 阻 抗 也 降 低 , 短 路 电 流 同 时 增 大 , 短 路 时 的 功 耗 随 着 电 流 的 平 方 加 大 , 造 成 承 受 短 路 的 时 间 迅 速 减 小 。
    通 常 采 取 的 保 护 措 施 有 软 关 断 和 降 栅 压 2种 。 软 关 断 指 在 过 流 和 短 路 时 , 直 接 关 断 IGBT。 但 是 , 软 关 断 抗 骚 扰 能 力 差 , 一 旦 检 测 到 过 流 信 号 就 关 断 , 很 容 易 发 生 误 动 作 。 为 增 加 保 护 电 路 的 抗 骚 扰 能 力 , 可 在 故 障 信 号 与 启 动 保 护 电 路 之 间 加 一 延 时 , 不 过 故 障 电 流 会 在 这 个 延 时 内 急 剧 上 升 , 大 大 增 加 了 功 率 损 耗 , 同 时 还 会 导 致 器 件 的 di/dt增 大 。 所 以 往 往 是 保 护 电 路 启 动 了 , 器 件 仍 然 坏 了 。
    降 栅 压 旨 在 检 测 到 器 件 过 流 时 , 马 上 降 低 栅 压 , 但 器 件 仍 维 持 导 通 。 降 栅 压 后 设 有 固 定 延 时 , 故 障 电 流 在 这 一 延 时 期 内 被 限 制 在 一 较 小 值 , 则 降 低 了 故 障 时 器 件 的 功 耗 , 延 长 了 器 件 抗 短 路 的 时 间 , 而 且 能 够 降 低 器 件 关 断 时 的 di/dt, 对 器 件 保 护 十 分 有 利 。 若 延 时 后 故 障 信 号 依 然 存 在 , 则 关 断 器 件 , 若 故 障 信 号 消 失 , 驱 动 电 路 可 自 动 恢 复 正 常 的 工 作 状 态 , 因 而 大 大 增 强 了 抗 骚 扰 能 力 。
    上 述 降 栅 压 的 方 法 只 考 虑 了 栅 压 与 短 路 电 流 大 小 的 关 系 , 而 在 实 际 过 程 中 , 降 栅 压 的 速 度 也 是 一 个 重 要 因 素 , 它 直 接 决 定 了 故 障 电 流 下 降 的 di/dt。 慢 降 栅 压 技 术 就 是 通 过 限 制 降 栅 压 的 速 度 来 控 制 故 障 电 流 的 下 降 速 率 , 从 而 抑 制 器 件 的 dv/dt和 uce的 峰 值 。 图 5给 出 了 实 现 慢 降 栅 压 的 具 体 电 路 。

    正 常 工 作 时 , 因 故 障 检 测 二 极 管 VD1的 导 通 , 将 a点 的 电 压 钳 位 在 稳 压 二 极 管 VZ1的 击 穿 电 压 以 下 , 晶 体 管 VT1始 终 保 持 截 止 状 态 。 V1通 过 驱 动 电 阻 Rg正 常 开 通 和 关 断 。 电 容 C2为 硬 开 关 应 用 场 合 提 供 一 很 小 的 延 时 , 使 得 V1开 通 时 uce有 一 定 的 时 间 从 高 电 压 降 到 通 态 压 降 , 而 不 使 保 护 电 路 动 作 。
    当 电 路 发 生 过 流 和 短 路 故 障 时 , V1上 的 uce上 升 , a点 电 压 随 之 上 升 , 到 一 定 值 时 , VZ1击 穿 , VT1开 通 , b点 电 压 下 降 , 电 容 C1通 过 电 阻 R1充 电 , 电 容 电 压 从 零 开 始 上 升 , 当 电 容 电 压 上 升 到 约 1.4V时 , 晶 体 管 VT2开 通 , 栅 极 电 压 uge随 电 容 电 压 的 上 升 而 下 降 , 通 过 调 节 C1的 数 值 , 可 控 制 电 容 的 充 电 速 度 , 进 而 控 制 uge的 下 降 速 度 ; 当 电 容 电 压 上 升 到 稳 压 二 极 管 VZ2的 击 穿 电 压 时 , VZ2击 穿 , uge被 钳 位 在 一 固 定 的 数 值 上 , 慢 降 栅 压 过 程 结 束 , 同 时 驱 动 电 路 通 过 光 耦 输 出 过 流 信 号 。 如 果 在 延 时 过 程 中 , 故 障 信 号 消 失 了 , 则 a点 电 压 降 低 , VT1恢 复 截 止 , C1通 过 R2放 电 , d点 电 压 升 高 , VT2也 恢 复 截 止 , uge上 升 , 电 路 恢 复 正 常 工 作 状 态 。
6 IGBT开 关 过 程 中 的 过 电 压
    关 断 IGBT时 , 它 的 集 电 极 电 流 的 下 降 率 较 高 , 尤 其 是 在 短 路 故 障 的 情 况 下 , 如 不 采 取 软 关 断 措 施 , 它 的 临 界 电 流 下 降 率 将 达 到 数 kA/μ s。 极 高 的 电 流 下 降 率 将 会 在 主 电 路 的 分 布 电 感 上 感 应 出 较 高 的 过 电 压 , 导 致 IGBT关 断 时 将 会 使 其 电 流 电 压 的 运 行 轨 迹 超 出 它 的 安 全 工 作 区 而 损 坏 。 所 以 从 关 断 的 角 度 考 虑 , 希 望 主 电 路 的 电 感 和 电 流 下 降 率 越 小 越 好 。 但 对 于 IGBT的 开 通 来 说 , 集 电 极 电 路 的 电 感 有 利 于 抑 制 续 流 二 极 管 的 反 向 恢 复 电 流 和 电 容 器 充 放 电 造 成 的 峰 值 电 流 , 能 减 小 开 通 损 耗 , 承 受 较 高 的 开 通 电 流 上 升 率 。 一 般 情 况 下 IGBT开 关 电 路 的 集 电 极 不 需 要 串 联 电 感 , 其 开 通 损 耗 可 以 通 过 改 善 栅 极 驱 动 条 件 来 加 以 控 制 。
7 IGBT的 关 断 缓 冲 吸 收 电 路
    为 了 使 IGBT关 断 过 电 压 能 得 到 有 效 的 抑 制 并 减 小 关 断 损 耗 , 通 常 都 需 要 给 IGBT主 电 路 设 置 关 断 缓 冲 吸 收 电 路 。 IGBT的 关 断 缓 冲 吸 收 电 路 分 为 充 放 电 型 和 放 电 阻 止 型 。
    充 放 电 型 有 RC吸 收 和 RCD吸 收 2种 。 如 图 6所 示 。

    RC吸 收 电 路 因 电 容 C的 充 电 电 流 在 电 阻 R上 产 生 压 降 , 还 会 造 成 过 冲 电 压 。 RCD电 路 因 用 二 极 管 旁 路 了 电 阻 上 的 充 电 电 流 , 从 而 克 服 了 过 冲 电 压 。
    图 7是 三 种 放 电 阻 止 型 吸 收 电 路 。 放 电 阻 止 型 缓 冲 电 路 中 吸 收 电 容 Cs的 放 电 电 压 为 电 源 电 压 , 每 次 关 断 前 , Cs仅 将 上 次 关 断 电 压 的 过 冲 部 分 能 量 回 馈 到 电 源 , 减 小 了 吸 收 电 路 的 功 耗 。 因 电 容 电 压 在 IGBT关 断 时 从 电 源 电 压 开 始 上 升 , 它 的 过 电 压 吸 收 能 力 不 如 RCD型 充 放 电 型 。

    从 吸 收 过 电 压 的 能 力 来 说 , 放 电 阻 止 型 吸 收 效 果 稍 差 , 但 能 量 损 耗 较 小 。
    对 缓 冲 吸 收 电 路 的 要 求 是 :
    1) 尽 量 减 小 主 电 路 的 布 线 电 感 La;
    2) 吸 收 电 容 应 采 用 低 感 吸 收 电 容 , 它 的 引线 应 尽 量 短 , 最 好 直 接 接 在 IGBT的 端 子 上 ;
    3) 吸 收 二 极 管 应 选 用 快 开 通 和 快 软 恢 复 二 极管 , 以 免 产 生 开 通 过 电 压 和 反 向 恢 复 引 起 较 大 的 振 荡 过 电 压 。
8 结 语
    本 文 对 IGBT的 驱 动 和 保 护 技 术 进 行 了 详 细 的 分 析 , 得 出 了 设 计 时 应 注 意 几 点 事 项 :
    — — IGBT由 于 有 集 电 极 - 栅 极 寄 生 电 容 的 密 勒 效 应 影 响 , 能 引 起 意 外 的 电 压 尖 峰 损 害 , 所 以 设 计 时 应 让 栅 极 电 路 的 阻 抗 足 够 低 以 尽 量 消 除 其 负 面 影 响 。
    — — 栅 极 串 联 电 阻 和 驱 动 电 路 内 阻 抗 对 IGBT的 开 通 过 程 及 驱 动 脉 冲 的 波 形 都 有 很 大 影 响 。 所 以 设 计 时 应 综 合 考 虑 。
    — — 应 采 用 慢 降 栅 压 技 术 来 控 制 故 障 电 流 的 下 降 速 率 , 从 而 抑 制 器 件 的 dv/dt和 uce的 峰 值 , 达 到 短 路 保 护 的 目 的 。
    — — 在 工 作 电 流 较 大 的 情 况 下 , 为 了 减 小 关 断 过 电 压 , 应 尽 量 减 小 主 电 路 的 布 线 电 感 , 吸 收 电 容 器 应 采 用 低 感 型 。

[来源:原创] [作者:国创电气] [日期:10-06-27]
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